【英文标准名称】:Medicalsuctionequipment-Part3:Suctionequipmentpoweredfromavacuumorpressuresource(ISO10079-3:1999);GermanversionENISO10079-3:1999
【原文标准名称】:医用吸引设备.第3部分:真空或用压力驱动的吸引设备
【标准号】:DINENISO10079-3-2000
【标准状态】:作废
【国别】:德国
【发布日期】:2000-03
【实施或试行日期】:2000-03-01
【发布单位】:德国标准化学会(DE-DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:压缩气体;医疗设备;操作;医疗技术学;性能要求;吸引器具(医疗);定义;效率;安全要求;保护装置;吸引设备;规范(验收);管连接;外科设备;真空装置;压力装置;试验;清洁处理;医学科学;设计;真空系统;产品信息;气压驱动;柔性管;公共卫生;绝育
【英文主题词】:Adjustments;Assembling;Bearings;Bursting;Cleaning;Compressedgases;Connections;Controllers;Cuttingandbreaking(textiles);Definitions;Design;Disinfections;Efficiency;Electricalequipment;Environmentaleffect;Exhaustgases;Factorization;Filterplants;Flexiblepipes;Flows;Gassupply;Immersion;Indications;Information;Informationsuppliedbythemanufacturer;Inscription;Instruments;Lay;Leakage;Letterings;Lowpressure;Mass;Mechanics;Medicaldevices;Medicalequipment;Medicalproducts;Medicalsciences;Medicaltechnology;Nozzles;Operatingconditions;Operation;Overflows;Performance;Performancerequirements;Pipeconnections;Pneumaticdrive;Pressureequipment;Pressureoverload;Productinformation;Properties;Protection;Protectivedevices;Publichealth;Resistance;Resistors;Safetyrequirements;Specification(approval);Stability;Sterilization(birthcontrol);Sterilization(hygiene);Storagecondition;Strain;Suctionapparatus(medical);Suctionequipment;Sumps;Surgicalequipment;Temperature;Testing;Use;Vacuum;Vacuumdevices;Vacuumengineering;Vacuumsystems;Warnings;Water
【摘要】:Thedocumentspecifiessafetyandperformancerequirementsformedicalsuctionequipmentpoweredfromavacuumorpressuresource.Inparticularitappliestoconnectionsforpipelinesandventureattachments.
【中国标准分类号】:C39
【国际标准分类号】:11_040_10
【页数】:27P;A4
【正文语种】:德语

标准名称：	硅片径向电阻率变化的测量方法
英文名称：	Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
中标分类：	冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法
ICS分类：
替代情况：	被GB/T 11073-2007替代
发布部门：	国家技术监督局
发布日期：	1989-03-31
实施日期：	1990-02-01
首发日期：	1989-03-31
作废日期：	2008-02-01
主管部门：	中国有色金属工业协会
归口单位：	中国有色金属工业协会
起草单位：	峨嵋半导体材料研究所
出版日期：	1900-01-01
页数：	14页

本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。

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